Process for manufacturing a mask according to a given pattern on a support

Abstract

Abstract Translated from French Le support de masque (20) est d'abord revêtu par une couche (21) d'un premier matériau sensible aux rayons actiniques (du spectre visible aux rayons X) puis on forme sur cette couche, un mince film de métal (24) délimité selon une configuration déterminée grâce à une étape lithographique mettant en oeuvre une seconde couche d'un second matériau sensible aux électrons, non représentée. Le premier maienau est aiors exposé à des rayons actiniques à travers les ouvertures (25) dudit film de métal ainsi délimité et ledit premier matériau est ensuite développé. Ce procédé qui combine l'électronlithographie (faculté d'exposition par calculateur) et la photolithographie (excellente définition des lignes) trouve son application dans les étapes lithographiques de la fabrication des dispositifs intégrés à semi-conducteurs notamment. The mask support (20) is first coated with a layer (21) of a first material sensitive to actinic rays (of the spectrum visible to X-rays), then a thin metal film (24) is formed on this layer. delimited according to a configuration determined thanks to a lithographic step using a second layer of a second material sensitive to electrons, not shown. The first maienau is then exposed to actinic rays through the openings (25) of said metal film thus delimited and said first material is then developed. This process which combines electronlithography (faculty of exposure by calculator) and photolithography (excellent definition of lines) finds its application in the lithographic stages of the manufacture of integrated semiconductor devices in particular.

Inventors

• 👤 Tai Hon Philip Chang

Bibliographic Details