Process for interconnecting two crossed conducting metal lines deposited on a substrate

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Verbindung zwischen zwei sich kreuzenden, auf der Oberfläche eines Substrats verlaufenden Leiterzügen wird auf den Leiterzügen (6') der ersten Metallisierungsebene eine als Ätzschranke dienende Schicht (8') aus Chrom gebildet. Auf diese Struktur wird eine Isolierschicht (12') mit Verbindungslöchern an den Kontaktstellen und darüber eine Metallschicht in der zweiten Metallisierungsebene aufgebracht. Beim Bilden der Leiterzüge (20') durch reaktives Plasmaätzen verhindert die Chromschicht (8') ein Überätzen der Leiterzüge (6') der ersten Metallisierungsebene. Die Chromschicht (8') dient gleichzeitig als Diffusionsschranke für Siliciumatome, die dem Metall der ersten Metallisierungsebene beigefügt sind. In a method for producing a connection between two intersecting conductor runs running on the surface of a substrate, a layer (8 ') made of chromium serving as an etching barrier is formed on the conductor runs (6') of the first metallization level. An insulating layer (12 ') with connection holes at the contact points and a metal layer in the second metallization level are applied to this structure. When the conductor tracks (20 ') are formed by reactive plasma etching, the chrome layer (8') prevents the conductor tracks (6 ') of the first metallization level from being overetched. The chrome layer (8 ') also serves as a diffusion barrier for silicon atoms that are attached to the metal of the first metallization level.

Inventors

• 👤 George Edward Alcorn
• 👤 Raymond Weaver Hamaker
• 👤 Geoffrey Brownell Stephens

Bibliographic Details