X-ray mask

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft eine kostengünstig und zuverlässig herstellbare Maske für die Röntgenlithographie, insbesondere zur Herstellung von VLSI-Halbleiterbauelementen. Die Maske soll Absorberstrukturen bis in den Submikron-Bereich übertragen. Laterale mechanische Verzüge werden vermieden durch eine spannungskompensierte Trägermembran simultan aus B- und Ge-dotiertem Silizium. Dieser Trägermembran ist außerdem optisch transparenter, im Vergleich zu bekannten nur B-dotierten Si-Membranen, wodurch eine optische Justierung der Maske erleichtert wird. The invention relates to an inexpensive and reliably producible mask for X-ray lithography, in particular for the production of VLSI semiconductor components. The mask is intended to transfer absorber structures down to the submicron range. Lateral mechanical distortions are avoided by a stress-compensated carrier membrane made of B- and Ge-doped silicon. This carrier membrane is also optically more transparent compared to known only B-doped Si membranes, which facilitates optical adjustment of the mask.

Inventors

• 👤 Jürgen Dr. Dipl.-Phys. Hersener
• 👤 Hans-Joest Dipl.-Phys. Herzog
• 👤 Karl Dr. Dipl.-Phys. Strohm

Bibliographic Details