Process for the lithographic production of galvanically shaped microstructures having a triangular or trapezoidal cross-section

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lithographischen Her­stellung von galvanisch abformbaren Mikrostrukturen mit drei­eckigem oder trapezförmigem Querschnitt aus Resistmaterial. The invention relates to a method for the lithographic production of galvanically moldable microstructures with a triangular or trapezoidal cross section from resist material. Es soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem Mikrostruktu­ren mit dreieckigem oder trapezförmigem Querschnitt unter Ver­wendung der üblichen Masken mit senkrechten Wänden hergestellt werden können. Die Neigung der Mikrostrukturwände der zeugten Strukturen soll innerhalb weiter Grenzen frei wählbar sein, ohne daß die Maskenstruktur verändert wird. A method is to be specified with which microstructures with a triangular or trapezoidal cross section can be produced using the usual masks with vertical walls. The inclination of the microstructure walls of the created structures should be freely selectable within wide limits without the mask structure being changed. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Re­sistschicht während einer ersten Bestrahlung gegen eine senk­recht zur einfallenden Strahlung definierte Ebene um einen Winkel + α gedreht wird, anschließend die Resistschicht wäh­rend einer zweiten Bestrahlung gegen die senkrecht zur ein­fallenden Strahlung definierte Ebene um den Winkel - α gedreht wird, wobei sich die während der ersten und während der zwei­ten Bestrahlung bestrahlten Bereiche an der Grenzfläche zwi­schen Resistschicht und Unterlage überlappen, wonach die Re­sistschicht in an sich bekannter Weise entwickelt wird. The object is achieved in that the resist layer is rotated by an angle + α during a first irradiation against a plane defined perpendicular to the incident radiation, then the resist layer is rotated by an angle + α during a second irradiation against the plane defined perpendicular to the incident radiation is rotated, the areas irradiated during the first and during the second irradiation overlap at the interface between the resist layer and the base, after which the resist layer is developed in a manner known per se.

Inventors

• 👤 Asim Dr. Maner
• 👤 Jürgen Dr. Mohr

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