Chemically amplified resist for electron beam lithography

Abstract

Abstract Translated from German Ein chemisch verstärkter Resist für die Elektronenstrahllithographie enthält folgende Komponenten: ein Polymer mit säurekatalysiert spaltbaren, lösungsinhibierenden Gruppen, eine photoreaktive Verbindung, die bei Elektronenbestrahlung eine Sulfonsäure mit einem pK a -Wert ≤ 2,5 freisetzt (Photosäurebildner), einen elektronenstrahlempfindlichen Sensibilisator und ein Lösemittel. A chemically amplified resist for electron beam lithography contains the following components: a polymer with acid-catalyzed, solution-inhibiting groups, a photoreactive compound which releases a sulfonic acid with a pK a value of ≤ 2.5 when exposed to electrons (photo acid generator), an electron beam sensitive sensitizer and a solvent.

Inventors

• 👤 Klaus Dr. Elian
• 👤 Ewald Dr. Günther
• 👤 Rainer Dr. Leuschner

Bibliographic Details