Nonvolatile semiconductor memory device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 メモリの大容量化並びにデータの信頼性向上 を実現し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【構成】 ＥＥＰＲＯＭに対してプログラム時に２つ以 上のデータを入力し、２つ以上のデータの組み合わせに 応じて４値以上のプログラム高電圧を作り出し、４値以 上の閾値をメモリセルに記憶させ、２ビット以上の情報 を記憶させるものとする。また、４値以上の閾値を持つ メモリセルから２ビット以上の情報を検出するために、 複数の閾値を有する３個以上のリファレンスメモリセル を設け、選択したメモリセルと複数のリファレンスメモ リセルとの比較を行うプログラム回路とセンス回路とを 設ける。さらに、メモリセルに２ビット以上の情報を記 憶させる半導体記憶装置に、データと共にパリティビッ トを記憶させる方法を持たせるものとする。加えて、メ モリセルに記憶させるときの閾値電圧と入出力情報との 対応を、１つ上または１つ下の閾値電圧に移るときに入 出力情報が１ビットしか変化しないように対応付けを行 うものとする。 (57) [Summary] [Object] To provide a non-volatile semiconductor memory device capable of increasing the capacity of a memory and improving the reliability of data. [Configuration] Two or more data are input to the EEPROM during programming, a program high voltage of four values or more is created according to a combination of two or more data, and a threshold value of four values or more is stored in a memory cell, Information of 2 bits or more shall be stored. In addition, in order to detect information of 2 bits or more from a memory cell having a threshold value of 4 or more, Three or more reference memory cells having a plurality of threshold values are provided, and a program circuit and a sense circuit for comparing the selected memory cell with the plurality of reference memory cells are provided. Further, a semiconductor memory device that stores information of 2 bits or more in a memory cell is provided with a method of storing a parity bit together with data. In addition, the correspondence between the threshold voltage when storing in the memory cell and the input / output information is made such that the input / output information changes by only one bit when the threshold voltage is moved up or down by one. I shall.

Inventors

• 👤 Kikuzo Sawada
• 👤 喜久三 澤田
• 👤 Kiwa Sugawara
• 👤 喜和 菅原

Bibliographic Details