Manufacture of amorphous silicon

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【目的】 界面でのプラズマダメージを低減し、安定的 に良質の膜を提供し、同時に膜中欠陥密度の低減を図 る。 【構成】 プラズマ化学気相蒸着法により、Ｓi を含む ガスを用いて、非晶質シリコンを堆積させる製造方法に おいて、基板温度Ｔｓを３００℃から６００℃までの温 度に保持し、印加高周波数ｆが３０ＭＨｚ以上のＶＨＦ 高周波を印加し、プラズマを発生させる。 (57) [Summary] [Purpose] To reduce plasma damage at the interface and to provide a stable and high-quality film, and at the same time to reduce the defect density in the film. In a manufacturing method of depositing amorphous silicon using a gas containing Si by plasma chemical vapor deposition, the substrate temperature Ts is maintained at a temperature of 300 ° C. to 600 ° C., and an applied high frequency f Is VHF above 30MHz A high frequency is applied to generate plasma.

Inventors

• 👤 Kazuaki Tashiro
• 👤 和昭 田代
• 👤 Chiori Mochizuki
• 👤 千織 望月
• 👤 Tatsumi Shoji
• 👤 辰美 庄司
• 👤 Hidemasa Mizutani
• 👤 英正 水谷

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