Device for diminishing the sensitivity of the threshold voltage of a MOSFET or a MISFET to variations of the voltage applied to the substrate

Abstract

Abstract Translated from French Dans un transistor à effet de champ, du type MOSFET ou MISFET, comportant une source (2), un drain (3), une porte (5) et une région de canal (4), des impuretés, telles que du tellurium, présentant des niveaux d'énergie profonds et une faible vitesse de diffusion, sont implantées dans la région d'appauvrissement (11). Cette implantation permet de réduire la sensibilité du transistor MOSFET aux variations de la tension appliquée sur son substrat. In a field effect transistor, of the MOSFET or MISFET type, comprising a source (2), a drain (3), a gate (5) and a channel region (4), impurities, such as tellurium, having deep energy levels and a low diffusion speed are established in the depletion region (11). This implantation makes it possible to reduce the sensitivity of the MOSFET transistor to variations in the voltage applied to its substrate.

Inventors

• 👤 Billy Lee Crowder
• 👤 Fritz Heinrich Gaensslen
• 👤 Richard Charles Jaeger

Bibliographic Details