Semiconductor wafer exposure device with synchrotron radiation in a lithography apparatus

Abstract

Abstract Translated from German Anordnung zur Belichtung von Halbleiterscheiben mittels Synchrotronstrahlung, bei der eine Maske (2) und eine Halbleiterscheibe (1) gemeinsam senkrecht zur Richtung des belichtenden Röntgenstrahls (5) bewegbar sind, um ein Belichtungsfeld (BF) zu überstreichen. Dabei sind optische Einrichtungen (27, 28) vorgesehen, über die Justiermarken auf Maske (2) und Halbleiterscheibe (1) ausgewertet und Stellsignale zur gegenseitigen Justierung dieser Teile abgeleitet werden. Es wird vorgeschlagen, ein schlitzförmiges Strahlungsfenster (4c) unmittelbar vor der Maske (2) anzuordnen und die optischen Einrichtungen (27, 28) neben der Strahlzuführung (4b) vorzusehen und auf einen während der Justierung außerhalb der Auftrefffläche des Röntgenstrahls (5) liegenden Teil des Belichtungsfeldes (BF) auszurichten. Arrangement for exposing semiconductor wafers by means of synchrotron radiation, in which a mask (2) and a semiconductor wafer (1) can be moved jointly perpendicular to the direction of the exposing x-ray beam (5) in order to cover an exposure field (BF). Optical devices (27, 28) are provided, by means of which the alignment marks on the mask (2) and semiconductor wafer (1) are evaluated and control signals for the mutual adjustment of these parts are derived. It is proposed to arrange a slit-shaped radiation window (4c) immediately in front of the mask (2) and to provide the optical devices (27, 28) next to the beam feeder (4b) and on a part lying outside the incident surface of the X-ray beam (5) during the adjustment of the exposure field (BF).

Inventors

• 👤 Karl-Heinz Dr. Müller
• 👤 Hans Dr.-Ing. Betz
• 👤 Wilhelm Dr. Vach
• 👤 Johann Krenner

Bibliographic Details