Metal contact with overhanging edges and process of fabrication

Abstract

Abstract Translated from German Metallkontakt mit überhängenden Kanten auf einer Halbleiterschichtstruktur, wobei dieser Metallkontakt mindestens eine spezielle Metallschicht (3), die einheitlich zusammengesetzt ist und sich in Richtung auf die Oberfläche der Halbleiterschichtstruktur (9) auf dem Substrat (10) hin stetig verjüngt, vorgesehen ist. Dieser Metallkontakt wird hergestellt, indem bei dem Ätzschritt für die Herstellung der speziellen Metallschicht (3) mittels Ätzmaske (8) und Anwendung von RIE ein Verhältnis von Anodendurchmesser zu Kathodendurchmesser von mindestens 4:3 eingestellt wird und der Elektrodenabstand mindestens 4 cm beträgt. Metal contact with overhanging edges on a semiconductor layer structure, this metal contact providing at least one special metal layer (3) which is composed uniformly and tapers continuously towards the surface of the semiconductor layer structure (9) on the substrate (10). This metal contact is produced by setting a ratio of anode diameter to cathode diameter of at least 4: 3 in the etching step for producing the special metal layer (3) by means of an etching mask (8) and using RIE, and the electrode spacing is at least 4 cm.

Inventors

• 👤 Thomas Dipl.-Phys. Pausch
• 👤 Josef Dr. Willer

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