Semiconductor laser device and method for its operation

Abstract

Abstract Translated from German Es soll eine Halbleiterlaseranordnung aus hintereinander oder parallel zueinander geschalteten Halbleiterlasern ange­geben werden, mit der ein beliebiger Grad von Isotropie oder Anisotropie des optischen Verstärkungsfaktors einstellbar ist. A semiconductor laser arrangement consisting of semiconductor lasers connected in series or in parallel with one another is to be specified, with which any degree of isotropy or anisotropy of the optical amplification factor can be set. Die beiden Halbleiterlaser bestehen aus quasi-indexge­führten Laserdioden (LD1, LD2), von denen jede eine in einer beiden Dioden (LD1, LD2) gemeinsamen Schichtebene (E) ange­ordnete lichtverstärkende Schicht (Sch1, Sch2) aufweist. Durch das Verhältnis (I₁/I₂) der Betriebsströme (I₁,I₂) der Dioden (LD1, LD2) läßt sich jedes gewünschte Maß der Polarisations­abhängigkeit der Verstärkung einstellen. Insbesondere kann isotrope Verstärkung erzielt werden. The two semiconductor lasers consist of quasi-index-guided laser diodes (LD1, LD2), each of which has a light-amplifying layer (Sch1, Sch2) arranged in a layer plane (E) common to both diodes (LD1, LD2). Through the ratio (I₁ / I₂) of the operating currents (I₁, I₂) of the diodes (LD1, LD2) any desired degree of polarization dependence of the gain can be set. In particular, isotropic amplification can be achieved. Laser für den Weitverkehr Long-range laser

Inventors

• 👤 Markus-Christian Dr. Amann
• 👤 Bernhard Dr. Stegmüller

Bibliographic Details